У вас проблемы с быстродействием компьютера? Вроде бы и процессор быстрый, и памяти достаточно, и видеокарта из последних, а родной и любимый Windows раз за разом выбрасывает загадочные картинки типа: «системе существенно не хватает ресурсов…»? Не волнуйтесь и не спешите в магазин. Попробуйте сначала грамотно воспользоваться инструментами оптимизации оперативной памяти вашего РС. Главным из этих инструментов, несомненно, является BIOS.

Приступим?

Chipset Features Setup

Как правило, именно здесь можно заставить плясать под свою дудку оперативку, кэш, отконфигурировать работу шин PCI, ISA и AGP, а также построить по росту порты ввода/вывода. Сначала идут настройки памяти, вот ими-то мы и займемся.

AUTO Configuration (название говорит само за себя). Занимается банальным делом — автоматически настраивает основные параметры памяти. Более тонкие настройки этот пункт не затрагивает. Как только вы выбираете значения, отличные от Manual (ручная настройка) или Disabled (отключено), некоторые параметры сразу становятся недоступными для изменения. Имеет интуитивно-понятные настройки:

60 ns — конфигурация, в большинстве случаев подходящая для памяти на 60 нс;

70 ns — то же, но для памяти на 70 нс;

Disabled (отключено) или Manual (ручная) — позволяет вручную установить желаемые значения.

DRAM RAS# Precharge Time (время предварительного заряда по RAS). Параметр, определяющий количество тактов системной шины для формирования сигнала RAS. Чем меньше это значение, тем быстрее будет работать память. Однако не всякая память выдержит такое маленькое время предварительного заряда, поэтому могут наблюдаться «глюки». Возможные варианты:

3 — лучше, быстрее, выше. В общем, победим;

DRAM R/W Leadoff Timing (задержки, они же waitstate — при подготовке выполнения операций с памятью). Здесь определяется число тактов шины до выполнения операций чтения и записи. Сначала идет значение для чтения, а через слэш (/) — для записи.

8/7 — для памяти с «ручником»;

7/5 — для памяти с «распальцовкой».

DRAM RAS to CAS Delay (задержка между сигналами RAS и CAS). Банально, не правда ли? Что же это за демоны такие — CAS и RAS? Память организована как матрица, и соответственно, чтобы добраться до нужной ячейки, следует указать строку и столбец. Так вот RAS (Row Access Strobe) и CAS (Column Access Strobe) и есть те самые сигналы, благодаря которым становится возможным добраться до ячейки. Эти сигналы идут не параллельно, а данный параметр как раз и определяет задержку в тактах между ними. Слово «задержка» уже не есть хорошо, поэтому чем она меньше — тем лучше.

3 — однозначный тугодум, три такта на осознание команды;

2 — то, что нужно.

Fast RAS# to CAS# Delay (интервал между сигналами RAS и CAS). Имеет тот же смысл как и DRAM RAS to CAS Delay. Однако здесь задание идет неявное, поэтому нет никакой возможности понять, какие значения имеет в виду BIOS под:

Enabled — вероятно, два такта задержки;

Disabled — стандартные три такта.

DRAM Read Burst Timing (тайминги для чтения из памяти в пакетном режиме). Пакетный режим это просто — в первой части происходит обращение к конкретной области памяти, а в оставшихся происходит само чтение. Меньше — лучше. Принимает значения:

Speculative Leadoff (выдача сигнала чтения с опережением). Если разрешить, то контроллер памяти сможет выдавать сигнал чтения немного ранее, чем адрес будет декодирован. Значения стандартные:

Enabled — разрешить контроллеру такую вольность;

Disabled — соблюдать режим!

Turn-Around Insertion (задержка между последовательными операциями). Включает дополнительный такт между двумя последовательными циклами обращения с памятью. Если разрешить (Еnabled), то быстродействие немного уменьшится, но могут быть случаи, когда память идеально работает с минимальными задержками в остальных настройках только при наличии этого дополнительного такта. В таком случае лучше ее оставить, чем увеличивать задержки на чтение и запись. Если все и так «пучком», то лучше отключить. Может реагировать следующим образом:

Enabled — отдохну;

Disabled — буду пахать как стахановец.

Data Integrity (PAR/ECC) (целостность данных, разрешение четности или ECC). Для большинства из нас неактуально. Память с коррекцией ошибок (ECC) стоит неоправданно дорого для домашнего использования, а память с контролем четности (parity) уже давно отжила свое. Однако если вы стащили с рабочего сервера пару модулей такой памяти, то имеет смысл поставить в Еnabled (разрешено). Небольшое замечание — по некоторым экспертным оценкам такая память работает на 3-5% медленнее обычной.

Enabled — если память ECC, то, может быть, исправит ошибку в один бит;

Disabled — ни за что не отвечаю, это все космическое излучение виновато, а оно само пришло.

DRAM ECC/PARITY Select (выбор режима коррекции ошибок). По-моему, и так все понятно. Принимает значения:

Parity — обыкновенная четность: если ошибка, то машина просто «встанет» с сообщением о сбое;

ECC — Error Control Correction. Если один бит «кривой», то исправляем и работаем дальше, иначе — «вис».

Некоторые системы имеют как обычные слоты SIMM, так и DIMM, поэтому далее идут специализированные настройки для SDRAM-памяти.

SDRAM Configuration (конфигурация SDRAM). Здесь BIOS определяется — самому ли заниматься настройками, или оставить это на совести пользователя. Вариантов достаточно много:

By SPD — данные берутся из SPD (микросхема на модули памяти, содержащая все данные о таймингах);

7 ns — смотрим на модуль, видим 7 нс, ставим это значение. Можно поставить и для хороших модулей (8 нс), но стабильность будет на вашей совести. BIOS рассчитывает эти параметры, исходя из того, что память способна работать на частоте 143 МГц;

8 ns — то же самое, но для 8 нс памяти (способной работать на частоте 125 МГц);

Disabled или Manual — ручная настройка.

SDRAM RAS Precharge Time (время предварительного заряда RAS для синхронной памяти). Этот параметр схож по значению с DRAM RAS# Precharge Time, однако не имеет явных значений. Принимает следующие значения:

Fast —быстрая зарядка (лучше);

Slow — медленнная зарядка.

SDRAM (CAS Lat/RAS-to-CAS) (задержка сигналов CAS и RAS к CAS). Комбинированный параметр, определяющий длительность сигнала CAS и задержкой между сигналами RAS и CAS. Скорость процессора, а также качество памяти сильно влияют на возможность изменения этого параметра, так что будьте бдительны:

2/2 — максимальная производительность;

3/3 — побольше надежности.

SDRAM CAS to RAS Delay (задержка между CAS и RAS). Абсолютно такая же расшифровка как для DRAM CAS to RAS Delay.

SDRAM CAS# Latency (задержка CAS для синхронной памяти). Знакомый нам CAS тоже иногда нуждается в отдыхе. Можно поставить одно из двух:

2T — два такта;

3T — три такта.

SDRAM Banks Close Policy (как правильно закрывать банки). Но не те, в которых огурцы маринуют. Возникновению этого параметра мы обязаны проблемам чипсета 440LX, в которых двухбанковая память работала, скажем так, хреново. Если у вас все и так хорошо, то оставьте этот параметр в покое, если нет — экспериментируйте. Принимаемые значения:

Page Miss — значение для двухбанковой памяти;

Arbitration — для четырехбанковой памяти.

DRAM Idle Timer (таймер пассивного состояния). Определяет время закрытия страниц памяти. Особого влияния на производительность не оказывает. Принимает значения от 0 до 32 (в тактах).

Snoop Ahead (подглядывание вперед). Занимается тем, что разрешает (Еnabled) или запрещает (Disabled) потоковый обмен данными между PCI и памятью. Для более эффективной работы периферии на шине PCI лучше разрешить.

Host Bus Fast Data Ready (быстрая готовность данных на основной шине). Позволяет снимать данные с шины одновременно с их выборкой. Иначе между этими двумя операциями будет задержка в один такт. Лучше разрешить (Enabled), но в случае возникновения проблем поставить в Disabled.

Refresh RAS# Assertion (количество тактов для регенерации памяти). Архитектура DRAM (Dynamic Random Access Memory) получила свое название за то, что каждая ее ячейка выполнена в виде конденсатора, который при записи единицы заряжается, при записи нуля — разряжается. После того, как схема считывания разряжает этот конденсатор, и его значение становится равным единице — происходит зарядка до прежнего уровня. Если все забыли про бедную ячейку, и никто к ней не обращается, то вскоре она чахнет, а конденсатор — разряжается. Понятное дело, информация теряется, поэтому вся память требует постоянной подзарядки. Соответственно, из-за этой особенности память и называется динамической, так как ее постоянно приходится подзаряжать. В этом параметре выставляется значение количества тактов для подзарядки. Желательно его не трогать или устанавливать в значение, соответствующее характеристикам памяти. Существует поверье, что чем оно ниже, тем быстрее работает память.

MA Wait State (ожидание до начала чтения из памяти). Параметр определяет, вводить ли дополнительный такт перед началом чтения из памяти. Принимает значения:

Slow — добавляется дополнительный такт;

SDRAM Speculative Read (опережающее чтение для синхронной памяти). Параметр, схожий по сути со Speculative Lead Off. Принимает значения:

Enabled — разрешено (лучше);

Disabled — запрещено.

Spread Spectrum Modulated (распространение модулированного спектра). Сумасшедшее название. Параметр занимается тем, что уменьшает электромагнитное излучение методом хитрой работы тактового генератора. Однако результатом может служить сбой в работе чувствительных устройств, поэтому уменьшение излучения на 6% вряд ли оправдано. Принимает значения:

Enabled — разрешено;

Command per Cycle (команда за такт). Параметр разрешает или запрещает выполнение команд за один такт. Заметно повышает производительность. Рекомендуемое значение — Enabled (разрешить).

Тесты

Ну ладно, в общих чертах мы посмотрели те параметры, которые влияют на производительность подсистемы памяти, а теперь давайте приступим к непосредственному их тестированию. Каждая версия BIOS имеет только часть настроек, рассмотренных выше, а в нашем случае тестированию подвергались параметры CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и Command per Cycle. Тестирование проводилось на машине следующей конфигурации:

Процессор: Pentium III 700 МГц (100х7)

Материнская плата: ASUS CUSL2 (815E)

Оперативная память: Micron PC133 (работала на частоте 100 МГц)

Жесткий диск: IBM DTJN 15 Гб

Видеокарта: интегрированный в чипсет i815 акселератор i752.

Из-за использования системной памяти для работы с графикой разница в производительности при разных настройках памяти должна быть существенной, в чем мы сейчас и убедимся.

Неплохой прирост в 27,5%, не правда ли? Больше, чем на четверть. Конечно, определяющей стала настройка Command per Cycle, которая позволила SDRAM памяти реализовать всю мощь. Многие материнские платы по умолчанию работают в этом режиме и не позволяют пользователю изменять этот параметр. В любом случае, если ориентироваться на первые четыре параметра, то прирост в 10,5%, которого можно достичь простым ковырянием в настройках памяти очень даже впечатляет.

А теперь вспомним про спецификации PC100 и PC133, последнюю из которых нам все расхваливают. Посмотрим, выдержит ли конкуренцию ненастроенная PC133 память по сравнению с настроенной PC100 на разных процессорах и частотах системной шины. Для примера было измерено время, за которое архиватор RAR справляется с 12,5 Мб данных. Первое значение — частота системной шины, второе — частота памяти.

Интересная картина. Особенно забавно то, что Pentium III 700 МГц с настроенной PC100 памятью обошел Pentium III 933 МГц с ненастроенной PC100 памятью. В остальном же ничего необычного нет — с замедлением памяти или процессора время архивации увеличивается. Видно превосходство PC133 памяти приблизительно на 10%, которое сразу же теряется при неправильных настройках.

Выводы

Настройка памяти — дело достаточно занудное. С тотальным внедрением SPD это стало не столь необходимым — но, если возникают какие-то проблемы и есть подозрение на память, то лучше всего вооружиться руководством и пройтись по настройкам. Поможет это также любителям разгонять процессор, так как иногда для устойчивой работы нужно кое-где прибавить пару тактов. Иногда можно случайно купить и бракованную или перемаркированную память, и в этом случае вам без посещения Chipset Setup точно не обойтись.

Продвинутым пользователям хорошо известен термин «разгон», который подразумевает увеличение производительности того или иного компонента компьютера свыше штатного режима. Процедура разгона оперативной памяти включает в себя ручную установку рабочей частоты модулей, о чём мы сегодня и хотим поговорить.

Прежде, чем приступить к увеличению частоты памяти, отметим несколько важных моментов.

• Далеко не все материнские платы поддерживают такую функцию: чаще всего настройка частоты попадается в моделях, нацеленных на геймеров или компьютерных энтузиастов. Также подобные настройки обычно отсутствуют в ноутбуках.
• Обязательно нужно учитывать тип установленной RAM, особенно в БИОСах, где есть возможность вручную прописать значение частоты.
• Повышенные частоты обычно сопровождаются и повышением выделяемого тепла, поэтому строго рекомендуется установить серьёзное охлаждение.

Собственно процедура увеличения memory frequency отличается от типа BIOS, установленного на плату.

Внимание! Для полноценного разгона оперативной памяти просто увеличить частоту недостаточно – потребуется также изменить некоторые другие параметры вроде таймингов и вольтажа! Об этом рассказано в отдельном материале!

Рассмотрим на примерах наиболее распространённых вариантов. Разумеется, сперва в БИОС нужно зайти – в статье по ссылке ниже вы найдёте детальное руководство по входу в интерфейс микропрограммы.

Текстовый вариант

Классические текстовые БИОС с управлением с клавиатуры уходят в прошлое, но для некоторых пользователей всё ещё актуальны.

Обращаем ваше внимание – в некоторых случаях опции в каждом из рассматриваемых БИОС могут менять название или местоположение – зависит от производителя материнской платы.

Графическая оболочка

Практически все современные продвинутые платы идут с графическим UEFI-интерфейсом, более удобным в освоении. Следовательно, настройка тактовой частоты RAM в подобных вариантах микропрограммы достаточно простая.

Gigabyte

Заключение

На этом заканчиваем описание методов настройки частоты оперативной памяти через разнообразные BIOS. Напоследок ещё раз напоминаем – изменять эти параметры следует только в том случае, когда вы хорошо понимаете, что делаете.

Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.

Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS Setup был закрыт от лишних глаз. Сейчас их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться при таком разнообразии, не говоря уже о простом "юзере". Мы постараемся максимально разъяснить действия, необходимые для повышения производительности системы посредством простейших настроек основных таймингов и, при необходимости, некоторых других параметров. В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять. Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.

Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно - изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.

На данный момент времени самым актуальным типом памяти является DDR2-800, но он появился недавно и пока только набирает обороты. Следующий тип (вернее, предыдущий), DDR2-667, является одним из самых распространенных, а DDR2-533 уже начинает сходить со сцены, хотя и присутствует на рынке в должном количестве. Память DDR2-400 нет смысла рассматривать, так как она практически уже исчезла из обихода. Модули памяти каждого типа имеют определенный набор таймингов, а для большей совместимости с имеющимся разнообразием оборудования они немного завышены. Так, в SPD модулей DDR2-533 производители обычно указывают временные задержки 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS), в DDR2-667 - 5-5-5-15 и в DDR2-800 - 5-5-5-18, при стандартном напряжении питания 1,8-1,85 В. Но ничто не мешает их снизить для увеличения производительности системы, а при условии поднятия напряжения всего до 2-2,1 В (что для памяти будет в пределах нормы, но охлаждение все же не помешает) вполне возможно установить еще более агрессивные задержки.

В качестве тестовой платформы для наших экспериментов мы выбрали следующую конфигурацию:

• Материнская плата: ASUS P5B-E (Intel P965, BIOS 1202)
• Процессор: Intel Core 2 Extreme X6800 (2,93 ГГц, 4 Мб кэш, FSB1066, LGA775)
• Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon
• Видеокарта: ASUS EN7800GT Dual (2хGeForce 7800GT, но использовалось только "половина" видеокарты)
• HDD: Samsung HD120IJ (120 Гб, 7200 об/мин, SATAII)
• Привод: Samsung TS-H552 (DVD+/-RW)
• Блок питания: Zalman ZM600-HP

В качестве оперативной памяти использовалось два модуля DDR2-800 объемом 1 Гб производства Hynix (1GB 2Rx8 PC2-6400U-555-12), благодаря чему появилась возможность расширить количество тестов с различными режимами работы памяти и комбинациями таймингов.

Приведем перечень необходимого ПО, позволяющего проверить стабильность системы и зафиксировать результаты настроек памяти. Для проверки стабильной работы памяти можно использовать такие тестовые программы как Testmem, Testmem+, S&M, Prime95 , в качестве утилиты настройки таймингов "на лету" в среде Windows применяется MemSet (для платформ Intel и AMD) и A64Info (только для AMD) . Выяснение оправданности экспериментов над памятью можно осуществить архиватором WinRAR 3.70b (имеется встроенный бенчмарк), программой SuperPI , рассчитывающая значение числа Пи, тестовым пакетом Everest (также есть встроенный бенчмарк), SiSoft Sandra и т.д.

Основные же настройки осуществляются в BIOS Setup. Для этого необходимо во время старта системы нажать клавишу Del, F2 или другую, в зависимости от производителя платы. Далее ищем пункт меню, отвечающий за настройки памяти: тайминги и режим работы. В нашем случае искомые настройки находились в Advanced/Chipset Setting/North Bridge Configuration (тайминги) и Advanced/Configure System Frequency (режим работы или, проще говоря, частота памяти). В BIOS"е других плат настройки памяти могут находиться в "Advanced Chipset Features" (Biostar), "Advanced/Memory Configuration" (Intel), "Soft Menu + Advanced Chipset Features" (abit), "Advanced Chipset Features/DRAM Configuration" (EPoX), "OverClocking Features/DRAM Configuration" (Sapphire), "MB Intelligent Tweaker" (Gigabyte, для активации настроек необходимо в главном окне BIOS нажать Ctrl+F1 ) и т.д. Напряжение питания обычно изменяется в пункте меню, отвечающем за оверклокинг и обозначается как "Memory Voltage", "DDR2 OverVoltage Control", "DIMM Voltage", "DRAM Voltage", "VDIMM" и т.д. Также у различных плат от одного и того же производителя настройки могут отличаться как по названию и размещению, так и по количеству, так что в каждом отдельном случае придется обратиться к инструкции.

Если нет желания поднимать рабочую частоту модулей (при условии возможностей и поддержки со стороны платы) выше ее номинальной, то можно ограничиться уменьшением задержек. Если да, то вам скорее придется прибегнуть к повышению напряжения питания, равно как и при снижении таймингов, в зависимости от самой памяти. Для изменения настроек достаточно необходимые пункты перевести из режима "Auto" в "Manual". Нас интересуют основные тайминги, которые обычно находятся вместе и называются следующим образом: CAS# Latency Time (CAS, CL, Tcl, tCL), RAS# to CAS# Delay (RCD, Trcd, tRCD), RAS# Precharge (Row Precharge Time, RP, Trp, tRP) и RAS# Activate to Precharge (RAS, Min.RAS# Active Time, Cycle Time, Tras, tRAS). Также есть еще один параметр - Command Rate (Memory Timing, 1T/2T Memory Timing, CMD-ADDR Timing Mode) принимающий значение 1T или 2T (в чипсете AMD RD600 появилось еще одно значение - 3Т) и присутствующий на платформе AMD или в чипсетах NVidia (в логике от Intel он заблокирован в значении 2T). При снижении этого параметра до единицы увеличивается быстродействие подсистемы памяти, но снижается максимально возможная ее частота. При попытке изменить основные тайминги на некоторых материнских платах могут ожидать "подводные камни" - отключив автоматическую настройку, мы тем самым сбрасываем значения подтаймингов (дополнительные тайминги, влияющие как на частоту, так и на быстродействие памяти, но не так значительно, как основные), как, например, на нашей тестовой плате. В этом случае придется воспользоваться программой MemSet (желательно последней версии) и просмотреть для каждого режима работы памяти значения подтаймингов (субтаймингов), чтобы установить аналогичные в BIOS"e.

Если названия задержек не совпадут, то тут хорошо проявляет себя "метод научного тыка". Незначительно изменяя дополнительные настройки в BIOS Setup, проверяем программой, что, где и как изменилось.

Теперь для памяти, функционирующей на частоте 533 МГц, можно попытаться вместо стандартных задержек 4-4-4-12 (или какого-либо другого варианта) установить 3-3-3-9 или даже 3-3-3-8. Если с такими настройками система не стартует, поднимаем напряжение на модулях памяти до 1,9-2,1 В. Выше не рекомендуется, даже при 2,1 В желательно использовать дополнительное охлаждение памяти (простейший вариант - направить на них поток воздуха от обычного кулера). Но сперва необходимо провести тесты при стандартных настройках, например в очень чувствительном к таймингам архиваторе WinRAR (Tools/Benchmark and hardware test). После изменения параметров проверяем снова и, если результат удовлетворяет, оставляем как есть. Если нет, как это произошло в нашем тестировании, то при помощи утилиты MemSet в среде Windows (эта операция может привести либо к зависанию системы, либо, что еще хуже, полной неработоспособности ее) или же средствами BIOS Setup поднимаем на единицу RAS# to CAS# Delay и снова тестируем. После можно попытаться уменьшить на единицу параметр RAS# Precharge, что немного увеличит быстродействие.

Тоже самое проделываем для памяти DDR2-667: вместо значений 5-5-5-15 выставляем 3-3-3-9. При проведении тестов нам пришлось также увеличить RAS# to CAS# Delay, иначе быстродействие ничем не отличалось от стандартных настроек.

Для системы, использующей DDR2-800, задержки можно уменьшить до 4-4-4-12 или даже 4-4-3-10, в зависимости от конкретных модулей. В любом случае подбор таймингов сугубо индивидуален, и дать конкретные рекомендации достаточно сложно, но приведенные примеры вполне могут помочь вам в тонкой настройке системы. И не забываем о напряжении питания.

В итоге мы провели тестирование с восемью различными вариантами и комбинациями режимов работы памяти и ее задержками, а также включили в тесты результаты оверклокерской памяти, - Team Xtreem TXDD1024M1066HC4, работавшей на эффективной частоте 800 МГц при таймингах 3-3-3-8. Итак, для режима 533 МГц вышло три комбинации с таймингами 4-4-4-12, 3-4-3-8 и 3-4-2-8, для 667 МГц всего две - 5-5-5-15 и 3-4-3-9, а для режима 800 МГц, как и в первом случае, три - 5-5-5-18, 4-4-4-12 и 4-4-3-10. В качестве тестовых пакетов использовались: подтест памяти из синтетического пакета PCMark05, архиватор WinRAR 3.70b, программа расчета числа Пи - SuperPI и игра Doom 3 (разрешение 1024x768, качество графики High). Латентность памяти проверялась встроенным бенчмарком программы Everest. Все тесты проходили в среде Windows XP Professional Edition SP2. Представленные результаты на диаграммах расположены по режимам работы.

Как видите по результатам, разница в некоторых тестах незначительная, а порой даже мизерная. Это обусловлено тем, что системная шина процессора Core 2 Duo, равная 1066 МГц, имеет теоретическую пропускную способность 8,5 Гб/с, что соответствует пропускной способности двухканальной памяти DDR2-533. При использовании более скоростной памяти ограничивающим фактором быстродействия системы становится шина FSB. Уменьшение задержек ведет к росту быстродействия, но не так заметно, как повышение частоты памяти. При использовании в качестве тестового стенда платформы AMD можно было бы наблюдать совсем другую картину, что мы по возможности и сделаем в следующий раз, а пока вернемся к нашим тестам.

В синтетике рост производительности при уменьшении задержек для каждого из режимов составил 0,5% для 533 МГц, 2,3% для 667 МГц и 1% для 800 МГц. Заметен значительный рост производительности при переходе от памяти DDR2-533 к DDR2-667, а вот смена с 667 на DDR2-800 дает уже не такую прибавку скорости. Также память уровнем ниже и с низкими таймингами вплотную приближается к более высокочастотному варианту, но с номинальными настройками. И это справедливо практически для каждого теста. Для архиватора WinRAR, который достаточно чувствителен к изменению таймингов, показатель производительности немного вырос: 3,3% для DDR2-533 и 8,4% для DDR2-667/800. Расчет восьмимиллионного знака числа Пи отнесся к различным комбинациям в процентном соотношении лучше, чем PCMark05, хоть и незначительно. Игровое приложение не сильно жалует DDR2-677 с таймингами 5-5-5-15, и только снижение последних позволило обойти менее скоростную память (которой, как оказалось, все равно, какие тайминги стоят) на два кадра. Настройка памяти DDR2-800 дала прибавку еще в два кадра, а оверклокерский вариант, который имел неплохой разрыв в остальных тестах, не слишком вырвался вперед относительно менее дорогого аналога. Все же, кроме процессора и памяти, есть еще одно звено - видеоподсистема, которая вносит свои коррективы в производительность всей системы в целом. Результат латентности памяти удивил, хотя, если присмотреться к графику, становится ясно, отчего показатели именно такие, какие есть. Падая с ростом частоты и уменьшением таймингов от режима DDR2-533 4-4-4-12, латентность имеет "провал" на DDR2-667 3-4-3-9, а последний режим практически ничем кроме частоты от предыдущего не отличается. И благодаря столь низким задержкам DDR2-667 запросто обходит DDR2-800, которая имеет более высокие значения, но пропускная способность DDR2-800 позволяет в реальных приложениях все же вырваться вперед.

И в заключение хотелось бы сказать, что несмотря на небольшой процент прироста быстродействия (~0,5-8,5), который получается от уменьшения временных задержек, эффект все же присутствует. И даже при переходе с DDR2-533 на DDR2-800 мы получаем прибавку в среднем 3-4%, а в WinRAR более 20. Так что подобный "тюнинг" имеет свои плюсы и позволяет даже без серьезного разгона немного поднять производительность системы.

Многие ошибочно считают, что установить оперативную память проще простого, настраивать ее якобы не нужно, а разгонять – вообще нет смысла. На самом же деле все намного сложнее и сейчас я в форме вопросов и ответов расскажу, как выжать максимум производительности из оперативной памяти.

Редакция благодарит компании и , любезно предоставившие комплекты памяти и материнские платы для тестирования.

Можно ли совмещаться память разных моделей, брендов и частот?

В теории для ПК можно использовать несколько модулей оперативной памяти не только от разных производителей, но и с разной частотой. В таком случае вся память будет работать на частоте самого медленного модуля. Но на практике же могут возникнуть конфликты несовместимости: ПК может вообще не запускаться, либо же могут случаться периодические сбои ОС. Поэтому оперативку лучше сразу покупать набором из двух или четырех модулей, особенно если планируете заняться разгоном. В модулях из одного комплекта применяются чипы из одной партии, обладающие идентичным разгонным потенциал.

Насколько полезен многоканальный режим работы памяти?

Все современные процессорные платформы Intel и для настольных ПК поддерживают, как минимум, двухканальный режим работы памяти. В свою очередь процессоры Intel Core i7 Gulftown и Intel Xeon Nehalem и Westmere поддерживают трехканальный режим, а AMD Opteron серии 6000, Intel Core i7 LGA 2011 и Xeon E5 и E7 – вообще четырехканальный (восемь слотов памяти).

Процессору двухканальный режим памяти прибавляет от 5 до 10 процентов производительности, тогда как интегрированному графическому ускорителю – до 50 процентов. Именно поэтому при сборке на процессоре AMD A8-7600 со встроенной графикой Radeon R7 мы строго-настрого рекомендуем использовать два модуля памяти.

При наличии только двух модулей памяти и материнской платы с четырьмя слотами DIMM важно не ошибиться с очередностью установки. Так, чтобы задействовать двухканальный режим, модули нужно останавливать в разъемы через один, то есть первый и третий, либо второй и четвертый. Более универсальным является, пожалуй, второй вариант, так как первый слот может перекрываться крупным процессорным кулером, как то . Впрочем, для памяти и с низкопрофильными радиаторами это не является проблемой.

Проверить, действительно ли память заработала в двухканальном режиме, можно с помощью приложения AIDA64 (пункт меню «Тест кеша и памяти»). Эта же программа поможет измерить быстродействие памяти до и после разгона.

Как настроить частоту и тайминги памяти?

Сразу после установки оперативка зачастую работает на своей минимальной частоте, либо на частоте, которую официально поддерживает процессор. К примеру, 2400-МГц HyperX Savage на процессоре Intel Core i3-4130 по умолчанию заработала на частоте всего лишь 1600 МГц. Выставить максимальную частоту памяти можно в настройках BIOS материнской платы: либо вручную, либо с помощью технологии Intel XMP (поддерживается даже материнками AMD).

Если выбрать вручную 2400 МГц, то память будет работать при стандартных для этой частоты таймингах (задержках) 11-14-14-33. Но на практике HyperX Savage может стабильно работать на той же частоте при меньших таймингах. А ведь именно соотношение высокой частоты и низких таймингов гарантирует высокое быстродействие памяти.

Чтобы не пришлось подбирать значение каждого тайминга вручную, компания Intel разработала технологию под названием Extreme Memory Profile. Она позволяет буквально в два клика выбрать оптимальный профиль работы памяти, заранее приготовленный производителем. Так, наша версия HyperX Savage поддерживает два XMP-профиля: 2400 МГц 11-13-14-32 и 2133 МГц 11-13-13-30. Первый актуален, например, для материнской платы с поддержкой разгона памяти до 3300 МГц, а второй – для материнки , в которой частота оперативки ограничена 2133 МГц.

Как разогнать память?

Разгон чего-либо (процессора, видеокарты, памяти) это всегда лотерея: один экземпляр может разгоняться хорошо, второй точно такой же – плохо. Бояться что память во время разгона выйдет из строя не стоит: если вы установите слишком высокую частоту, она попросту не запустится.

Если у материнской платы нет функции автоматического отката настроек разгона после нескольких неудачных попыток запуска ПК, сбросить настройки можно вручную с помощью перемычки Clear CMOS (другое название JBAT).

В случаев оперативной памяти подбирать экспериментальным методом придется не только частоту и напряжение питания, но и тайминги. Причем не факт, что удастся подобрать соотношение лучше, чем то что предусмотрено максимальным XMP-профилем. В случае HyperX Savage именно это и случилось: разогнать память удалось до частоты 2600 МГц, но тайминги пришлось повысить до 12-14-15-33.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

Измерение быстродействие памяти вышеупомянутой программой AIDA64 Cache & Memory Benchmark до и после разгона показало падение скорости в среднем на 14 процентов. Так что разгон памяти на 200 МГц выше номинала оказался эффектным в теории, но бесполезным на практике. Но это в случае топовой 2400-МГц версии HyperX Savage, а у более низкочастотной версии, например 1600-МГц, потенциал для ручного разгона намного лучше.

Выводы

Как видите, правильно установить и настроить оперативную память не так уж и сложно, особенно если она поддерживает готовые XMP-профили. Если покупать память комплектом, то можно получить прирост быстродействия не только от двухканального режима, но и от удачного разгона. А чтобы не было несовместимости с крупными процессорными кулерами, лучше выбрать низкопрофильную оперативку, особенно если планируете использовать ближайший к процессору слот памяти.

В BIOS содержится множество параметров, влияющих на инициализацию и дальнейшую работу практически всех устройств, установленных в компьютере или подключенных к его портам. Поэтому неудивительно, что оперативная память также имеет параметры, управлять которыми можно из BIOS. В частности, в BIOS можно настроить частоту, на которой будет работать память, тайминги (последовательность) задержек при переключении из одного режима в другой, а иногда и напряжение питания модуля. Именно эти параметры зачастую и становятся объектом внимания оверклокеров - пользователей, пытающихся увеличить производительность компьютера, а в данном случае - производительность оперативной памяти.

Если ваш компьютер периодически зависает, перезагружается или операционная система постоянно выдает сообщения о неисправности при чтении данных, это может свидетельствовать о том, что оперативная память работает на пределе своих возможностей. Причиной сбоев может стать как слишком высокая температура микросхем памяти, так и слишком низкие тайминги или завышенная частота.

Первое, что следует сделать в этом случае, - попробовать управлять таймингами памяти либо, если это не дало эффекта, переключить память в автоматический режим работы или режим по умолчанию. Это можно выполнить в BIOS.

Сначала необходимо зайти в BIOS. Момент, когда это можно сделать, всего один - через 2-3 секунды после включения или перезагрузки компьютера. А вот способов это сделать может быть несколько, что зависит от производителя BIOS. В случае с AwardBIOS и PhoenixBIOS требуется нажать клавишу Delete, для AMIBIOS- клавишу F2.

ПРИМЕЧАНИЕ! Если речь идет о ноутбуках или нетбуках, способов войти в BIOS намного больше, поскольку существуют различные производители BIOS для ноутбуков и способы входа в нее могут быть более изощренными.

Даже если вы не знаете, какая BIOS используется на вашей материнской плате, сообщение о том, какую клавишу нужно нажать, чтобы попасть в нее, можно прочитать сразу после включения или перезагрузки компьютера. Это сообщение, как правило, появляется в нижней части экрана, хотя может быть и в другом месте, например после некоторых информационных сообщений.

Существует также достаточно простой и незамысловатый способ попасть в BIGS, не задумываясь о том, какую клавишу нажимать. Достаточно сразу после включения или перезагрузки компьютера нажимать сразу две или даже три клавиши - F2, Deleteи F10: с большой долей вероятности какая-то сработает.

Итак, мы попали в BIOS. Ее внешний вид зависит не только от производителя, но и от даты выпуска материнской платы. В последнее время очень модным стало делать графическую оболочку BIOS, которой можно управлять с помощью мыши. В результате одна и та же BIOSможет выглядеть абсолютно по-разному. Еще больше усложняет ситуацию то, что многие производители материнских плат добавляют свои фирменные средства разгона, что приводит к появлению в BIOS дополнительных пунктов или целых разделов.

К сожалению, сказать однозначно, в какой раздел необходимо зайти, чтобы найти нужный параметр, не представляется возможным, поскольку существует множество вариантов реализации BIOS. Тем не менее можно ориентироваться на определенные словосочетания. В нужном нам случае группы могут носить следующие названия:

• Advanced;
• Chipset Setting;
• Advanced Chipset Features;
• Memory Configuration;
• DRAM Configuration;
• OverClocking Features;
• MB Intelligent Tweake.

Сами параметры могут называться так:

• CAS# Latency Time;
• RAS# to CAS# Delay;
• RAS# Precharge;
• RAS# Activate to Precharge;
• Memory Timing;
• 1Т/2Т Memory Timing;
• Memory Voltage;
• DDR2 OverVoltage Control;
• DIMM Voltage;
• DRAM Voltage;
• VDIMM.

Первые шесть параметров отвечают за настройку таймингов. Принцип изменения большей части этих параметров достаточно прост: чем меньше значения, тем быстрее работает оперативная память. В нашем же случае, чтобы сделать работу оперативной памяти более стабильной, значения параметров, наоборот, следует увеличивать. К сожалению, невозможно точно сказать, увеличение какого из значений даст 100%-ный эффект. Поэтому, изменяя очередной параметр, необходимо загружать операционную систему и контролировать изменение температуры: если компьютер работает стабильно - цель достигнута.